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据BusinessKorea消息称,同样作为存储大厂的三星也加快了第五代HBM3e“Shinebolt”的开发与销售进度,预计将紧随SK海力士之后。经初步测试,“Shinebolt”的最大数据传输速度将比上一代有所提升,预计将达到1.228TB/s,比SK海力士的HBM3e(最大数据传输速度为1.15TB/s)更快,同时“Shinebolt”还采用了最新的12层垂直堆叠方案,能够在单个HBM3e封装上实现高达36GB的容量,而原型版本使用的8层堆叠方案仅实现了24GB的容量。三星电子的HBM开发和生产速度目前仍落后于SK海力士,美光也已经向客户提供了性能相当的HBM3 Gen2的测试样品,不过三星电子正在制定战略,以夺回先进存储芯片生产的领先地位。
HBM(High Bandwidth Memory)属于垂直连接多个DRAM,与DRAM相比显著提升数据处理速度的高附加值、高性能产品。HBM DRAM产品以HBM(第一代)、HBM2(第二代)、HBM2E(第三代)、HBM3(第四代)、HBM3E(第五代)的顺序开发,其中 HBM3E是HBM3的扩展(Extended)版本。HBM被认为是人工智能时代的新一代DRAM。